技術(shù)編號：2928154
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體基板等固體試樣的表面摻雜(添加)雜質(zhì)的及實施該方法的裝置。背景技術(shù) 在固體試樣的表面摻雜雜質(zhì)的技術(shù)，例如有U.S專利4912065號揭示的將雜質(zhì)離子化以低能量摻雜到固體中的。以下，參照圖14說明以往的作為雜質(zhì)摻雜的方法的。圖14是以往的等離子體摻雜法所采用的等離子體摻雜裝置的基本結(jié)構(gòu)。圖14中，在真空容器100內(nèi)設(shè)置了用于放置硅基板等試樣109的試樣電極106。在真空容器100的外部設(shè)置用于供給含有所要元素的摻雜原料氣體，例如B2H6的供...
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