技術編號：2926681
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種在掃描電子顯微鏡中，利用非導電樣品在電子束輻照下產(chǎn)生的荷電效應形成荷電襯度像的方法。應用于電子顯微分析技術中。背景技術 在采用掃描電鏡(SEM)對非導電樣品進行觀察和成像時，輻照在非導電樣品上的入射電子不能通過樣品接地，而是堆積在非導體中產(chǎn)生充電和放電現(xiàn)象，即產(chǎn)生荷電效應。荷電效應使二次電子像出現(xiàn)畸變、掃描線不連續(xù)、或產(chǎn)生異常襯度等現(xiàn)象，嚴重影響了圖像的質(zhì)量。因此陶瓷、高分子、含水生物材料等非導電樣品不能直接在高真空掃描電鏡中進行觀察。如何減...
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