技術(shù)編號：2926609
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的實施例涉及一種半導(dǎo)體制造設(shè)備。更具體地說，本發(fā)明的實施例涉及一種適合于決定晶片上照射的離子束濃度的法拉第系統(tǒng)，以及涉及一種使用該法拉第系統(tǒng)的離子注入設(shè)備。本申請要求2005年9月22日申請的韓國專利申請?zhí)?0-2005-0088151的優(yōu)先權(quán)，因此將其主旨全部引入作為參考。背景技術(shù) 當(dāng)前的半導(dǎo)體器件的特點在于增加集成度、減小總體尺寸和提高性能。這些結(jié)果通過用來制造半導(dǎo)體器件的制造工序的復(fù)雜順序中的小心改進來實現(xiàn)。這些制造工序的一種工序通常涉及將導(dǎo)電...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。