技術(shù)編號(hào)：2926390
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及磁體裝置，尤其涉及用于平面磁控管(planarmagnetron)的磁體裝置。背景技術(shù) 在濺射系統(tǒng)中，等離子體是在真空下的濺射腔內(nèi)產(chǎn)生的。所產(chǎn)生的等離子體被認(rèn)為是一種準(zhǔn)中性多粒子系統(tǒng)(quasi-neutralmany-particle system)，其形式上是自由電子和離子以及可能的中性粒子即原子、分子或基團(tuán)的氣態(tài)混合物。所述等離子體的正離子受到陰極的負(fù)電勢(shì)吸引，該陰極的特點(diǎn)或作用在于它即是所謂的靶。正離子撞擊到這一靶上，并撞出許多細(xì)小粒子...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。