技術(shù)編號：2925732
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體處理，且特別地涉及在集成電路制造中 從例如半導(dǎo)體晶片的工件選擇性地去除表面層。將理解的是，雖然如 下的論述針對半導(dǎo)體制造過程，但本發(fā)明可以應(yīng)用于多種制造過程和 設(shè)備，因此使得本發(fā)明不應(yīng)限制于半導(dǎo)體制造。背景技術(shù)光致抗蝕劑掩模限定了集成電路(IC )的每層，從前段制程(FE0L ) 離子植入用于絕緣、P或N阱摻雜、閾值電壓調(diào)節(jié)和源-漏觸點(diǎn)，到后 段制程(BE0L)等離子蝕刻或金屬電鍍和層間電介質(zhì)蝕刻。當(dāng)半導(dǎo)體 器件內(nèi)形成了每層后，這些涂...
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