技術(shù)編號：2925723
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種離子注入系統(tǒng)，且更具體地涉及一種在連續(xù)離子 注入機(jī)中存在光致抗蝕劑氣體釋出、壓力及離子源波動時用于離子劑 量測量和補(bǔ)償?shù)南到y(tǒng)與方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體裝置的制造中，離子注入用于將雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體。離子束注入機(jī)使用離子束來處理硅晶片，從而在集成電路制作過程中產(chǎn)生n 或p型外來材料摻雜或者形成鈍化層。當(dāng)用于摻雜半導(dǎo)體時，離子束 注入機(jī)注入選定的離子物質(zhì)，以產(chǎn)生期望的外來材料，注入由諸如銻、 砷或磷的源材料產(chǎn)生的離子形成"n型，，外來材料晶片，而如果期...
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