技術(shù)編號(hào):2924863
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及利用等離子體形成例如在半導(dǎo)體裝置的層間絕緣膜等中所使用的添加氟的碳膜的方法以及裝置。背景技術(shù) 作為實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的高集成化的方法之一,有使線路多層化的技術(shù)。為了得到多層線路結(jié)構(gòu),利用導(dǎo)電層連接第n個(gè)線路層和第(n+1)個(gè)線路層,同時(shí),在導(dǎo)電層以外的區(qū)域形成稱(chēng)為層間絕緣膜的薄膜。作為該層間絕緣膜的代表有SiO2膜。近年來(lái),在器件的動(dòng)作中,為了更進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高速化而要求降低層間絕緣膜的電容率。由于這個(gè)要求,使得作為碳(C)和氟(F)的化合物的添加氟的碳...
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