技術(shù)編號：2923632
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種離子注入系統(tǒng)及方法，特別是涉及一種向如半導(dǎo)體晶片等離子注入靶輸送低能、單能離子束的方法和裝置。背景技術(shù) 離子注入技術(shù)已經(jīng)成為一種向半導(dǎo)體晶片引入改變導(dǎo)電性能的雜質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。將預(yù)期的雜質(zhì)材料在離子源中進(jìn)行電離，離子被加速，形成具有預(yù)定能量的離子束，并將離子束指引向晶片的表面。離子束中的高能離子穿入半導(dǎo)體材料并被埋入半導(dǎo)體材料的晶格，形成具有預(yù)期導(dǎo)電性的區(qū)域。離子注入系統(tǒng)通常包括將氣體或固體材料轉(zhuǎn)化為精確離子束的離子源。對離子束進(jìn)行質(zhì)量分析以去...
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