技術(shù)編號(hào)：2911032
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種等離子加工系統(tǒng)的改進(jìn)部件，更具體地說(shuō)涉及一種等離子加工系統(tǒng)中用以導(dǎo)入加工氣體并保護(hù)室內(nèi)部的帶有沉積罩的上電極。背景技術(shù) 半導(dǎo)體工業(yè)中集成電路(IC)的制造通常在從襯底去除材料和將材料沉積到襯底必需的等離子體反應(yīng)器內(nèi)采用等離子體產(chǎn)生和輔助表面化學(xué)。通常地，通過(guò)加熱電子至足以保持與所供應(yīng)生產(chǎn)氣體的電離碰撞的能量，在等離子體反應(yīng)器內(nèi)于真空條件下形成等離子體。此外，加熱的電子可具有足以保持離解(dissociative)碰撞的能量，從而在預(yù)定條件下(...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。