技術(shù)編號(hào)：2908266
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制程設(shè)備，尤其是對(duì)于基板實(shí)施等離子體處理的等離子體處理裝置，具體地，涉及用于載置被實(shí)施等離子體處理的基板等被處理體的載置臺(tái)以及具有該載置臺(tái)的等離子體處理裝置。背景技術(shù)在半導(dǎo)體設(shè)備的制造過(guò)程中，例如蝕刻、沉積、氧化、濺射等處理過(guò)程中，通常會(huì)利用等離子體對(duì)基板(半導(dǎo)體晶片、玻璃基板等)進(jìn)行處理。一般地，對(duì)于等離子體處理裝置來(lái)說(shuō)，作為生成等離子體的方式，大體上可分為利用電暈(glow)放電或者高頻放電，和利用微波等方式。在高頻放電方式的等離子體處...
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