技術(shù)編號(hào)：2908119
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種用于等離子體處理裝置中圍繞處理基片的邊緣環(huán)。背景技術(shù)半導(dǎo)體工藝在銅互連工藝中需要對(duì)絕緣材料進(jìn)行等離子刻蝕。隨著臨界尺寸(CD)的縮小精度要求也越來(lái)越高。在絕緣層刻蝕中典型的有雙大馬士刻蝕(dual damascene簡(jiǎn)稱DD)工藝，也就是在同一個(gè)工藝?yán)锿瓿蓪?duì)絕緣層材料溝道和通孔的刻蝕。在DD這個(gè)刻蝕工藝中會(huì)用到極薄的TiN材料作為掩膜刻蝕下方的絕緣材料層如Low-K材料。這層TiN材料由于及其薄小于10nm，通常只有約...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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