技術(shù)編號(hào)：2905874
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及離子注入機(jī)尋找束流最大值的方法。此方法通過緩存記憶電源輸入的三個(gè)值及其對應(yīng)的束流值作為三組分析數(shù)據(jù)，并且對這三組數(shù)據(jù)進(jìn)行趨勢判斷，來尋找束流最大值。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路制造工藝已發(fā)展到12英寸晶片、納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)時(shí)期。隨著晶圓片尺寸越來越大，單元器件尺寸越來越小，對半導(dǎo)體工藝設(shè)備的性能要求也就越來越高。離子注入機(jī)是半導(dǎo)體集成電路器件制造工藝中必不可少的關(guān)鍵設(shè)備。為了提高離子注入機(jī)的性能，使其滿足現(xiàn)代大晶圓片、納米器件生產(chǎn)工藝的要求和適應(yīng)將來半導(dǎo)體...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。