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離子注入實時檢測和控制裝置的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:2903818

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本發(fā)明涉及一種離子注入實時檢測和控制裝置,特別是涉及一種通過測量用于中和帶電離子的電子流來實時地控制離子注入的裝置。背景技術(shù)離子注入是用來把改變導(dǎo)電率的雜質(zhì)引入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。所需要的雜質(zhì)材料在離子源中被離子化,離子被加速成具有規(guī)定能量的離子束,而且離子束對準(zhǔn)晶片的表面。射束中的高能離子深入半導(dǎo)體材料的主體并且嵌入半導(dǎo)體材料的晶格形成導(dǎo)電率符合需要的區(qū)域。 而且用離子注入法在單晶或多晶硅中摻雜,是制造現(xiàn)代集成電路中使用的一種常規(guī)工藝過程。由于半導(dǎo)體產(chǎn)...
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