技術(shù)編號(hào)：2901753
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，尤其是涉及一種高導(dǎo)熱、高取光效率的大功率正裝 LED芯片結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)目前，藍(lán)光、綠光等發(fā)光二極管(LED)的基本結(jié)構(gòu)是在藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng) InGaN/GaN發(fā)光半導(dǎo)體材料，然后在外延層的上表面制作正/負(fù)電極用于注入電流使之將 電能轉(zhuǎn)換成光能。如圖-1所示，其是典型的藍(lán)光LED芯片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，該芯片主要 由三部分組成，藍(lán)寶石襯底11，外延層12，以及歐姆電極13 (包含ρ、η兩個(gè)電極)，正極歐 姆電極是制作在P型GaN層...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。