技術(shù)編號：2900666
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于紫外探測材料，具體涉及一種基于半導(dǎo)體材料外延技術(shù)、半導(dǎo)體 材料摻雜技術(shù)和超高真空表面激活技術(shù)相結(jié)合的紫外光電陰極材料結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)近年來，隨著GaN材料制備技術(shù)、p型摻雜技術(shù)的完善以及超高真空技術(shù)的發(fā)展，GaN 紫外光電陰極正成為一種新型高性能的紫外光電陰極。這種陰極的表面具有負(fù)電子親和勢 (NEA)，即陰極的表面真空能級低于體內(nèi)導(dǎo)帶底能級，因此體內(nèi)光生電子只需運行到表面， 就可以輕而易舉地發(fā)射到真空而無需過剩動能去克服材料表面的勢壘，這樣電子的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。