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等離子體處理裝置的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):2898696

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本發(fā)明涉及一種等離子體處理裝置,特別是在半導(dǎo)體晶圓片等被處理基板上實(shí)施蝕刻等等離子體處理的等離子體處理裝置。背景技術(shù) 目前,在半導(dǎo)體裝置的制造領(lǐng)域中,使處理室內(nèi)產(chǎn)生等離子體,將該等離子體作用于配置在處理室內(nèi)的被處理基板(例如,半導(dǎo)體晶圓片等)上,并進(jìn)行規(guī)定處理(例如蝕刻、成膜等)的等離子體處理裝置得到了應(yīng)用。在這種等離子體裝置上,要進(jìn)行良好的處理,必需將等離子體的狀態(tài)維持在適于進(jìn)行等離子體處理的良好狀態(tài)下。因此,目前,具備形成用于控制等離子體的磁場(chǎng)的磁場(chǎng)形...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。

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