技術(shù)編號：2894233
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明 涉及一種具有改善的(低能量)離子轟擊特性的等離子體處理設(shè)備或系 統(tǒng)、以及一種用于在這種設(shè)備中處理襯底的方法。等離子體工藝涉及沉積-和/或刻蝕 工藝、加熱、表面調(diào)整、以及襯底的其它工藝。背景技術(shù)本領(lǐng)域已知的很多等離子體處理系統(tǒng)是根據(jù)所謂的平行平板反應(yīng)器原理而構(gòu)建 的。圖1示出這種等離子體處理設(shè)備。其包括具有限定外圍的壁的工藝室7、第一平面 電極1、第二平面電極2，第一平面電極1和第二平面電極2皆設(shè)置在所述工藝室7內(nèi)、 可與至少一個RF電源電連接。電極...
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