技術編號：2894179
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及用于處理襯底的方法和系統(tǒng)，更具體的，涉及用于執(zhí)行襯底的中性束 激活的化學處理的方法和系統(tǒng)。背景技術在半導體處理過程中，經(jīng)常使用等離子體，通過沿著半導體襯底上形成的細線或 在半導體襯底上形成的過孔(或觸點)內(nèi)促進材料的非均勻去除，以輔助蝕刻過程。上述 等離子體輔助蝕刻的示例包括反應離子蝕刻(RIE)，其實質(zhì)上是離子激活的化學蝕刻處理。但是，盡管RIE已經(jīng)使用了數(shù)十年，RIE的成熟伴隨著下列幾個問題(a)廣泛的離 子能量分布；(b)各種感應充電副作用...
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