技術(shù)編號(hào)：2894056
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體離子植入技術(shù)，尤其涉及。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造流程中，為了適當(dāng)?shù)膶诫s物在控制的條件下導(dǎo)入芯片材料中，一 般是通過摻雜的技術(shù)來(lái)達(dá)成，其中廣泛應(yīng)用的即為離子植入技術(shù)。而隨著ic制程線寬越 來(lái)越小，晶片的直徑越來(lái)越大，取代高電流離子植入機(jī)中使用帶狀離子束進(jìn)行單片植入方 式越來(lái)越有必要。目前采用的是單個(gè)分析磁場(chǎng)單元(AMU)和用于產(chǎn)生離子束的單個(gè)離子源 (source)，這種方法所產(chǎn)生的帶狀離子束均勻度和寬度受到限制；且實(shí)際上為了得到相對(duì) 較寬的離...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。