技術(shù)編號：2886306
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及離子束的發(fā)生裝置，尤其涉及一種用于離子束輔助鍍膜的考夫曼型離子源。背景技術(shù)考夫曼型離子源屬于熱陰極放電型氣體離子源，是一種寬束離子源。由于它能產(chǎn)生高束 流大面積的離子束，同時又具有離子束能量、密度和方向等參數(shù)獨立可控的優(yōu)點，使其在離 子束刻蝕、離子束濺射淀積鍍膜、離子束注入和表面處理等領(lǐng)域有著廣泛地研究和應(yīng)用?？挤蚵x子源由陽極、陰極、放電室圓筒構(gòu)成放電室和屏柵、加速柵構(gòu)成光學(xué)引出系統(tǒng)、 產(chǎn)生磁場的磁路結(jié)構(gòu)以及中和燈絲等部分組成。熱陰極在陽極電場...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。