技術(shù)編號：2860369
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種離子束輻照裝置，用于通過以離子束輻照基底而將離子移植到基底中去，更為具體地說，涉及用于在以離子束輻照基底時扼制基底的充電(電荷累積)的改進措施。有一種關(guān)于在以離子束輻照基底時扼制基底電荷累積(charge-up)的建議。由等離子體發(fā)生器產(chǎn)生的等離子體被供給接近基底的一個區(qū)域。包含在等離子體中的電子用于中和由于離子束輻照而產(chǎn)生的正電荷。與利用在某一物體用從燈絲發(fā)出的電子輻照時從此物體發(fā)出的二次電子的技術(shù)相比，所建議的技術(shù)向基底供給較低能量的電子...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。