技術(shù)編號(hào)：2858074
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使用等離子體的平行平板型的基板處理裝置和基板處 理方法。背景技術(shù)在平行平板型的基板處理裝置中，具備相互平行地配置的上部電極和下部電極，對(duì)該上部電極或下部電極施加RF (高頻)而產(chǎn)生等離 子體，利用該等離子體處理放置在下部電極上的基板(晶片)。并且，為了控制等離子體密度和從等離子體向基板射入的離子的 能量，提案有對(duì)下部電極疊加施加RF (高頻)和脈沖負(fù)電壓的方法。 在該方法中，利用RF控制等離子體密度，利用負(fù)電壓脈沖控制離子的 能量(參照專利文獻(xiàn)l...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。