技術編號：2850733
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供了一種場發(fā)射陰極，包括基板、設置在基板上的導電薄膜和形成在導電薄膜上的電子發(fā)射體陣列，所述導電薄膜與電子發(fā)射體陣列之間設置有一厚度為0.4~0.8μm的金屬緩沖層，所述金屬緩沖層的材料為熱膨脹系數(shù)介于所述基板與所述電子發(fā)射體陣列之間的金屬或金屬化合物。該場發(fā)射陰極的金屬緩沖層可以提高基板與電子發(fā)射體陣列之間的熱膨脹系數(shù)匹配度，從而改善基板與電子發(fā)射體陣列間發(fā)生形變而使接觸面不均勻、接觸電阻增大的現(xiàn)象，最終提高電子發(fā)射體陣列的電子發(fā)射效率和使用壽命...
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