技術(shù)編號(hào)：2850640
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種場(chǎng)發(fā)射電子源，所述場(chǎng)發(fā)射電子源包括一碳納米管線狀結(jié)構(gòu)、一絕緣層以及至少一導(dǎo)電環(huán)，其中，所述碳納米管線狀結(jié)構(gòu)及絕緣層同軸設(shè)置，所述絕緣層設(shè)置于所述碳納米管線狀結(jié)構(gòu)的表面，所述導(dǎo)電環(huán)設(shè)置于所述碳納米管線狀結(jié)構(gòu)至少一端部的絕緣層外表面，所述導(dǎo)電環(huán)靠近碳納米管線狀結(jié)構(gòu)端部的一環(huán)面與該碳納米管線狀結(jié)構(gòu)的該端部平齊。專利說(shuō)明場(chǎng)發(fā)射電子源及場(chǎng)發(fā)射裝置[0001 ] 本發(fā)明涉及一種場(chǎng)發(fā)射電子源及場(chǎng)發(fā)射裝置，尤其涉及一種適用于電子發(fā)射密度較大的場(chǎng)發(fā)射器件的場(chǎng)發(fā)...
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