技術(shù)編號(hào)：2848459
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種薄膜材料的等離子體處理設(shè)備，具體的說是一種用于大面積薄膜材料的空心陰極接枝聚合等離子體處理設(shè)備，屬于薄膜材料表面處理。背景技術(shù)空心陰極放電是陰極放電較為特殊的輝光放電，陰極區(qū)、負(fù)輝區(qū)都包圍在陰極空腔的內(nèi)部，使得負(fù)輝區(qū)相互重疊；在相同條件下，空心陰極輝光放電的電流密度比正常輝光放電時(shí)顯著增大。均勻布?xì)馐潜ＷC薄膜材料表面處理質(zhì)量的關(guān)鍵影響因素之一；氣體在基材表面的濃度分布，將直接影響到薄膜基材接枝聚合的均勻性。傳統(tǒng)大面積薄膜材料采用平板電極等...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。