技術(shù)編號：2818591
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光刻領(lǐng)域，且特別涉及一種。背景技術(shù)在投影光刻裝置中，為了對硅片表面的位置進(jìn)行高精度的測量，同時(shí)為了避 免測量裝置損傷硅片，調(diào)焦調(diào)平測量必須是非接觸式測量，即裝置本身不直接接觸被測物體。常用的非接觸式調(diào)焦調(diào)平測量方法有三種光學(xué)測量法、電容 測量法、氣壓測量法。在現(xiàn)今的掃描投影光刻裝置中，多使用光學(xué)測量法實(shí)現(xiàn) 調(diào)焦調(diào)平測量，光學(xué)調(diào)焦調(diào)平測量裝置的技術(shù)多種多樣。調(diào)焦調(diào)平測量裝置的 測量對象為硅片表面，然因圖形工藝等不同工況，測量對象的反射率變化較...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。