技術(shù)編號：2812299
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及電子器件的制造。更具體地，本發(fā)明涉及光致抗蝕劑組合物，涂覆的基板以及光刻方法，該方法允許使用負(fù)型顯影工藝形成精細(xì)圖案。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造工業(yè)中，光致抗蝕劑(photoresist)材料用于將圖像轉(zhuǎn)移到分布在半導(dǎo)體基底上的一個或多個底層(如金屬、半導(dǎo)體和介電層)以及所述基材本身。為了提高半導(dǎo)體設(shè)備的集成密度以及形成具有納米(nm)尺寸的結(jié)構(gòu)，已經(jīng)并持續(xù)開發(fā)了具有高分辨率的光致抗蝕劑和光刻工藝工具。、正型化學(xué)放大光致抗蝕劑傳統(tǒng)地被用于高分辨率...
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