技術(shù)編號(hào)：2811433
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是在光掩模工藝中的。背景技術(shù)光刻技術(shù)是集成電路制造中的關(guān)鍵工藝步驟，光刻工藝?yán)昧斯鈱W(xué)-化學(xué)反應(yīng)的 原理以及化學(xué)、物理刻蝕方法，通過掩模板有選擇地遮擋照射到晶圓表面光致抗蝕劑上的 光線，從而將所設(shè)計(jì)的電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面或者介質(zhì)層表面。 半導(dǎo)體器件和集成電路集成度的增加，對(duì)分辨力提出了越來越高的要求。分辨力 的大小可以用分辨距離來表示，分辨距離越小，分辨力就越高。為了追求更高的分辨力， 方法之一就是提高透鏡的數(shù)值孔徑NA。然...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。