技術(shù)編號：2810007
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種；特別是有關(guān)于一種通過 半調(diào)式掩膜(half-tone mask)的特性來提高圖案化材料層的最小線寬(line width)的方法。背景技術(shù)隨著科技的進(jìn)步，微電子工業(yè)的制造技術(shù)一日千里，其中光刻技術(shù)扮演 著相當(dāng)重要的角色。光刻技術(shù)主要是利用光源將掩膜上所設(shè)計好的圖案通過 曝光轉(zhuǎn)移至感光材料上，并可進(jìn)一步利用此圖案化的感光材料作為刻蝕掩膜。 然而，在光刻工藝中，圖案的線寬與所使用的光源的波長或聚焦的透鏡的數(shù) 值孔徑等參數(shù)相關(guān)，因此線寬的最小...
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