技術(shù)編號(hào)：2803986
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種半導(dǎo)體芯片的版層設(shè)計(jì)方法及其掩膜板。背景技術(shù)先進(jìn)半導(dǎo)體制程中需要對(duì)設(shè)計(jì)版圖進(jìn)行光學(xué)臨近修正，以提高圖形的可制造性能。特別在深亞微米的半導(dǎo)體芯片制造過程中，由于關(guān)鍵圖形的線寬遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于光源的波長(zhǎng)，光的衍射效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致光罩投影至硅片上的圖形發(fā)生畸變，甚至?xí)?dǎo)致超出可接受范圍的圖形失真。典型的效應(yīng)有線端頭縮短、圓角和關(guān)鍵尺寸偏移等等。這種光學(xué)的衍射畸變的影響受到周邊圖形環(huán)境的影響，被稱之為光學(xué)臨近效應(yīng)(optical proximi...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。