技術(shù)編號(hào)：2797378
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體制造，并且進(jìn)一步涉及衰減相移反射光刻技術(shù)。背景技術(shù) 當(dāng)前，透射光學(xué)蝕刻技術(shù)在半導(dǎo)體制造中被用于形成圖案層。由于在光刻技術(shù)中分辨半導(dǎo)體器件特征的能力與光源的波長(zhǎng)成比例，則光源的波長(zhǎng)需要隨著器件尺寸的縮小而縮小。為了對(duì)尺寸小于大約70納米的器件構(gòu)圖，一個(gè)可選方案是使用波長(zhǎng)在遠(yuǎn)紫外(EUV)狀態(tài)的光源。如在此所用的，該EUV狀態(tài)有一個(gè)在大約4-25納米之間，更確切地說，在13-14納米間的特征波長(zhǎng)。由于難以尋找當(dāng)曝光于EUV波長(zhǎng)的光時(shí)，透射E...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。