技術編號：2794396
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種檢驗光刻工藝的方法，尤其涉及一種新型的利用曝光后烘烤的 OPC模型檢驗光刻工藝的方法。背景技術在先進光刻工藝中，曝光后烘烤(Post Exposure Bake，簡稱PEB)是一個十分重要的步驟。烘烤溫度的變化會影響最終成像的光刻特征尺寸，稱為曝光后烘烤敏感度(PEB knsitivity)。在新建立光刻工藝時，需要對該項影響程度做出評估?，F(xiàn)存做法是改變曝光后烘烤的溫度，選擇一個或多個所關心的特征尺寸，進行電子顯微鏡下的線寬量測，這樣可以觀測...
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