技術編號：2788886
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及具有由氫化非晶碳化硅(在下文中，也稱作“a-SiC”)形成的表面層的電子照相感光構件，和具有該電子照相感光構件的電子照相設備。在下文中，由“a-SiC”形成的表面層也稱作“a-SiC表面層”。背景技術具有在基體上由非晶硅(以下也稱作“a-Si”)形成的光導電層(感光層)的電子照相感光構件是公知的。下文中，由a-Si形成的光導電層也稱作“a-Si光導電層”。特別地，具有采用成膜技術如CVD和PVD在導電性基體如金屬上形成的a-Si光導電層的a_Si...
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