技術(shù)編號(hào):2782467
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造,更具體涉及用于半導(dǎo)體器件制造的掩模圖形及相關(guān)方法和結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 在用于半導(dǎo)體器件制造的常規(guī)構(gòu)圖工藝中,可以在將被刻蝕的薄膜上(例如,硅膜、介質(zhì)膜、或?qū)щ姳∧?形成光刻膠圖形,用于圖形形成??梢允褂霉饪棠z圖形作為刻蝕掩模刻蝕該薄膜,以形成希望的圖形。隨著半導(dǎo)體器件的集成度增加,形成包括具有較小開(kāi)口尺寸的接觸孔或具有較小寬度的間隔的精細(xì)圖形需要更小的臨界尺寸(CD)和/或新的光刻技術(shù)。為了實(shí)現(xiàn)這種精細(xì)圖形,可能需要高分辨率的光刻術(shù)和...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。