技術(shù)編號(hào)：2781411
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大致有關(guān)半導(dǎo)體制造，且更特別有關(guān)超紫外線(EUV)光刻。背景技術(shù) 通常，被用于半導(dǎo)體裝置制造中之光刻技術(shù)系使用引導(dǎo)輻射于掩模上以形成圖案之影像系統(tǒng)。該圖案系被投射至被覆蓋光感光致抗蝕劑之半導(dǎo)體晶片上。一旦被曝光，光致抗蝕劑物質(zhì)系可被發(fā)展來(lái)移除超額光致抗蝕劑物質(zhì)。剩余光致抗蝕劑物質(zhì)系當(dāng)作被用來(lái)圖制基本半導(dǎo)體晶片之蝕刻處理之蝕刻掩模。正進(jìn)行之光刻改良已降低半導(dǎo)體集成電路(ICs)尺寸，藉以促進(jìn)裝置具有更高密度及較佳效能。一高度未來(lái)希望光刻系統(tǒng)系使用超紫外...
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