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檢測(cè)光掩模數(shù)據(jù)庫(kù)圖案缺陷的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):2780281

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本發(fā)明涉及測(cè)試光掩模圖案的方法,尤其涉及檢測(cè)光掩模的數(shù)據(jù)庫(kù)圖案中的缺陷的方法。背景技術(shù) 隨著集成到半導(dǎo)體芯片中的元件的最小線(xiàn)寬度及其連接線(xiàn)路的減少,難以避免形成于晶片上的圖案的光學(xué)鄰近效應(yīng),所述圖案是利用紫外線(xiàn)通過(guò)傳統(tǒng)光刻技術(shù)形成的。由于最近使用的紫外線(xiàn)I波(I-beam)的波長(zhǎng)為0.365μm,而線(xiàn)寬的臨界尺寸為0.35μm,因此,由光衍射和干涉形成的圖案的OPE嚴(yán)重地限制了半導(dǎo)體芯片的制造工藝。預(yù)計(jì),圖案的OPE將變得更加嚴(yán)重,以滿(mǎn)足線(xiàn)寬的最小臨界尺寸...
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