技術(shù)編號(hào)：2778295
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體襯底或液晶顯示裝置(LCD)基板的表面上例如形成涂敷型薄膜用的膜形成方法，以及在膜形成方法中使用的成膜裝置。背景技術(shù) 近年來(lái)，對(duì)LSI的高集成化的要求越來(lái)越高，伴隨于此，在半導(dǎo)體光刻技術(shù)中要求形成小于等于100nm的微細(xì)的器件圖形那樣的精度非常高的加工技術(shù)。因此，在圖形曝光裝置中，通過(guò)從KrF→ArF→F2那樣實(shí)現(xiàn)在曝光中使用的受激準(zhǔn)分子激光器的波長(zhǎng)的短波長(zhǎng)化，使解像度不斷地提高。另一方面，隨著微細(xì)化的進(jìn)展，不能忽視抗蝕劑膜的圖形倒塌。因...
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