技術編號：2776802
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種利用磁單軸晶體來改變光的極化狀態(tài)的方法，該磁單軸晶體首先具有特定的多疇結構，其中光穿過該晶體的預定區(qū)域，并且在該晶體上施加磁場強度為H1的磁場脈沖，在該磁場強度下，晶體轉變?yōu)榭赡娴膯萎牋顟B(tài)，以及涉及一種利用磁光轉子執(zhí)行這樣的方法的裝置，該磁光轉子由首先具有特定多疇結構的磁單軸晶體構成，以及至少一個用于產(chǎn)生磁場脈沖并對晶體施加磁場脈沖的裝置，包括可控的磁場脈沖源和用于該磁場源的控制電路。因此，本發(fā)明的內(nèi)容是用于改變光束的極性并因此改變這些光束中...
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