技術(shù)編號：2775669
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及成像或曝光設(shè)備，更具體但不排外地涉及用于制造電子微電路的設(shè)備。背景技術(shù)通過連續(xù)沉積導(dǎo)電的、半導(dǎo)體的或絕緣的材料層而在晶片上同時制造大批電子微電路是已知的，其中各層在經(jīng)確定暴露哪些區(qū)域以便對這些區(qū)域進行化學蝕刻的掩模選擇性曝光之后被化學蝕刻。微電路中的每一部件都是通過在給定區(qū)域內(nèi)疊加各相互接觸的層來獲得的。為了獲得高部件密度以所制造的部件的恒定性能，就需要被連續(xù)使用的掩模圖像呈現(xiàn)出高質(zhì)量，即圖像中的線路十分精密且畸變極小，從而能夠?qū)⒂糜谖g刻每一層的...
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