技術編號：2775597
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及可以在半導體裝置制造過程等中使用的。背景技術 近年來在半導體裝置制造過程中，隨著半導體元件集成度的提高，要求光刻技術的抗蝕劑圖案的分辨率進一步細微化。特別是有接觸孔形成用的開口部(孔部分)的抗蝕劑圖案，采用以往的光刻法時對比度低，很難獲得所需的形狀。于是作為用光刻法形成微細接觸孔圖案的形成方法，有人提出一種通過形成含有交聯劑的水溶性膜將已經形成的抗蝕劑圖案覆蓋，利用殘存在抗蝕劑圖案未曝光部分的酸，以熱作為催化劑使之與水溶性膜產生交聯反應，使接觸孔...
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