技術(shù)編號：2772853
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種使用帶電粒子束的光刻技術(shù)，特別是涉及測定帶電粒子束繪圖裝置的掩模臺架座標(biāo)系相對試樣臺架座標(biāo)系的相位的帶電粒子束繪圖裝置的臺架相位測定方法、測定掩模在試樣面上的縮小率的帶電粒子束繪圖裝置的縮小率測定方法、及相應(yīng)于測定的相位和縮小率進(jìn)行控制的帶電粒子束繪圖裝置的控制方法、及帶電粒子束繪圖裝置。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體裝置的微細(xì)化，在圖案的繪圖中考慮了帶電粒子束繪圖裝置。為了將掩模圖案縮小和轉(zhuǎn)印到試樣上，使用縮小透鏡和物鏡。由這些透鏡縮小掩模圖案，并由...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。