技術(shù)編號(hào)：2770135
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)一解析方法，其適用于，例如制造半導(dǎo)體元件、液晶顯示元件、CCD等攝影元件、等離子顯示元件、薄膜磁頭等電子元件(以下僅以電子元件或元件稱之)時(shí)，用來解析曝光結(jié)果的相關(guān)資料，可早期檢測(cè)出線寬控制精度或重疊精度的惡化現(xiàn)象。又，本發(fā)明是有關(guān)曝光裝置及曝光裝置系統(tǒng)，借使用該解析方法能早期檢測(cè)出線寬控制精度或重疊精度的惡化現(xiàn)象，以提高電子元件的生產(chǎn)性。背景技術(shù) 就電子元件的制造而言，于微影步驟中使用曝光裝置，將形成于光罩或標(biāo)線片(以后統(tǒng)稱為標(biāo)線片)的微細(xì)圖...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。