技術(shù)編號(hào)：2767633
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，更具體地說(shuō)，涉及一種，通過(guò)該設(shè)備顯影后留在晶片上的副產(chǎn)物可被完全清除。通常半導(dǎo)體器件是通過(guò)重復(fù)很多次工藝來(lái)制備的，比如光刻、化學(xué)腐蝕、薄膜淀積等。在這些工藝中，光刻是用通過(guò)照相制版或掩模在晶片上形成可見(jiàn)圖形的工藝。光刻包括兩步曝光使得諸如紫外線的光照在晶片上的光刻膠上；顯影以處理被曝光的光刻膠，使其中隱藏的圖形顯現(xiàn)出來(lái)。附圖說(shuō)明圖1示意出上述光刻工藝中的傳統(tǒng)顯影過(guò)程。當(dāng)晶片W放到旋轉(zhuǎn)盤2上時(shí)，通過(guò)從旋轉(zhuǎn)盤2底部產(chǎn)生的真空壓力晶片緊緊吸附在旋...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。