技術(shù)編號：2766399
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，特別是涉及能夠改善線/空圖形之間的對比率以形成微圖形的相移掩模以及用于制造該相移掩模的方法。近來制造具有高集成度的半導(dǎo)體器件趨勢導(dǎo)致了減小相鄰布線之間的距離、提高了拓?fù)洳p小元件例如晶體管或電容器尺寸。為此，就需要形成具有提高了的微尺寸的圖形。通常，通過在石英基片上覆蓋一層由鉻層或鋁層構(gòu)成的遮光膜來制成曝光掩模，該掩模用于形成光刻膠膜圖形的曝光處理中，然后按離子束刻蝕法來刻蝕遮光膜，由此形成遮光膜圖形。但是，這種一般的曝光掩模難于形成具有小...
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