技術編號：2766223
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。,曝光掩模圖形,以及半導體器件的制作方法發(fā)明的領域本發(fā)明涉及到以及曝光掩模圖形，更確切地說是采用以模型為基礎的鄰近效應修正來形成曝光掩模圖形的方法、能夠以此得到的曝光掩模圖形、以及制作半導體器件的方法。 背景技術 在半導體器件的生產(chǎn)過程中，用抗蝕劑圖形作為掩模來執(zhí)行離子注入和圖形腐蝕。但眾所周知，用光刻術得到的抗蝕劑圖形和隨后用腐蝕得到的轉移圖形，存在著由工藝條件、圖形排列密度、下方層條件、以及其它各種因素所造成的尺寸精度變化的問題。尺寸精度的這種變化成為...
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