技術(shù)編號(hào):2763561
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明主要涉及納米級(jí)的制造方法,尤其涉及在襯底的電可配置 層上使用電場(chǎng)掩模制造納米級(jí)圖案的方法。背景技術(shù)在過(guò)去三十年里,光刻技術(shù)以大約每?jī)傻饺隇橐淮乃俣认蚯?發(fā)展并持續(xù)減小前沿半導(dǎo)體器件的最小特征尺寸,每出現(xiàn)新的一代就 使最小特征尺寸大約減小為70%。然而,由于特征尺寸已經(jīng)降低到納米級(jí),因此現(xiàn)有的光刻技術(shù)面臨非常重大的挑戰(zhàn)。從大量有利點(diǎn)中 已經(jīng)探索出新的光刻技術(shù)解決方案,包括曝光工具、掩模、抗蝕劑和所有相關(guān)的工藝步驟。例如,已經(jīng)利用壓印光刻技術(shù)(imp...
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