技術(shù)編號：2762749
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及納米光刻領(lǐng)域和納米尺度成像。背景技術(shù) 具有極細(xì)線寬(例如，10-100nm量級)的高生產(chǎn)能力的光刻和表面構(gòu)圖技術(shù)對于微電子工業(yè)和納米技術(shù)的未來發(fā)展十分重要。下一代集成電路技術(shù)將不可避免地要求高效和低成本的亞100nm線寬部件(feature)。納米技術(shù)的新興領(lǐng)域也要求以可與需要操縱和改性的分子和單元的尺度相比擬的空間分辨率實(shí)現(xiàn)表面的構(gòu)圖和功能化。在微電子工業(yè)中仍然最廣泛地使用的傳統(tǒng)投影式光學(xué)光刻系統(tǒng)的分辨率受到光的衍射作用限制?？梢酝ㄟ^使用...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。