技術(shù)編號(hào)：2758668
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件和電子照相設(shè)備。 背景技術(shù)已知包括在基體上由非晶材料構(gòu)成的光導(dǎo)電層(感光層)的電子照相感光構(gòu)件， 特別地，已商購(gòu)引入包括通過(guò)層形成技術(shù)如CVD或PVD在金屬基體上形成的氫化非晶硅 (下文中也稱(chēng)作“a-SiH”)的光導(dǎo)電層的電子照相感光構(gòu)件。在下文中，電子照相感光構(gòu) 件可簡(jiǎn)稱(chēng)作“感光構(gòu)件”。此外，設(shè)置有由a-SiH構(gòu)成的光導(dǎo)電層的電子照相感光構(gòu)件可稱(chēng) 作“a-SiH感光構(gòu)件”。此夕卜，由a_SiH構(gòu)成的光導(dǎo)電層可稱(chēng)作“a-SiH光導(dǎo)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。