技術(shù)編號(hào)：2757895
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于半導(dǎo)體微處理的化學(xué)放大型正光刻膠組合物。通常，在半導(dǎo)體微處理中已采用應(yīng)用光刻膠組合物的光刻技術(shù)。在光刻技術(shù)中，原則上隨著曝光波長(zhǎng)的減短(表示為受Rayleigh’s衍射限制的方程)，可以改善分辨率。已采用波長(zhǎng)436nm的g-線、波長(zhǎng)365nm的i-線和波長(zhǎng)248nm的KrF激發(fā)激光(excimer laser)，作為用于制備半導(dǎo)體光刻技術(shù)的曝光源。因此，使用的波長(zhǎng)逐年變短。波長(zhǎng)為193nm的ArF激發(fā)激光被認(rèn)為有希望成為下一代的曝光源。與用于...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。