技術編號：2754773
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造，特別涉及一種。 背景技術在半導體制造中，在刻蝕前通常需要在待刻蝕的膜層上形成光掩膜層，然后利用光刻工藝在光掩膜層中形成開口，所述開口將膜層要進行刻蝕去除的位置暴露，將其余位置保護，從而在刻蝕后就得到了刻蝕圖形，然后將光掩膜層去除即可。但是傳統(tǒng)方法形成的光掩膜層通常僅包括光刻膠層(PR)，在進行光刻中的曝光步驟時，入射光線經光掩膜版進入光刻膠層，在光刻膠層中形成圖案，一部分入射光線在光刻膠層和光刻膠層下的待刻蝕膜層界面處被反射回光刻膠層...
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